SIB912DK-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIB912DK-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 1.5A 3.1W 216mohm @ 4.5V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	1.5 A
Pd - рассеивание мощности	1.1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	10 ns
Другие названия товара №	SIB912DK-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIB91xDK
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	24 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-75-6

Метки: