IPP111N15N3 G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPP111N15N3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	83 A
Pd - рассеивание мощности	214 W
Qg - заряд затвора	41 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	10.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	35 ns
Время спада	9 ns
Другие названия товара №	IPP111N15N3GXK IPP111N15N3GXKSA1 SP000677860
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	500
Серия	OptiMOS 3
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	32 nS
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: