IXFN120N65X2

IXFN120N65X2

IXFN120N65X2
Производитель: IXYS
Номер части: IXFN120N65X2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IXFN120N65X2 Лист данных скачать
МОП-транзистор 650V/108A Ultra Junction X2-Class
МОП-транзистор
TARIC (Единый тариф ЕЭС) 8541290000
Код HTS 8541290095
Id - непрерывный ток утечки 108 A
Pd - рассеивание мощности 890 W
Qg - заряд затвора 225 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 24 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.7 V
Вес изделия 30 g
Вид монтажа Chassis Mount
Время нарастания 23 ns
Время спада 12 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Коммерческое обозначение HiPerFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 46 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 10
Серия 650V Ultra Junction X2
Технология Si
Типичное время задержки выключения 86 ns
Типичное время задержки при включении 64 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок SOT-227-4
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC (Единый тариф ЕЭС) 8541290000
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.369 секунд.