PSMN8R5-100ESQ

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PSMN8R5-100ESQ
Нормоупаковка: 1000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 5000

Описание Характеристики

МОП-транзистор PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	100 A
Pd - рассеивание мощности	263 W
Qg - заряд затвора	111 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	22.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	35 ns
Время спада	43 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	1000
Типичное время задержки выключения	87 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	I2PAK-3

Метки:

Страница создана за 0.135 секунд.