NTMD6N02R2G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTMD6N02R2G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор NFET 20V 0.035R TR

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	5.07 A
Pd - рассеивание мощности	2 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	35 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	35 ns, 50 ns
Время спада	60 ns, 80 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual Dual Drain
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	10 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	NTMD6N02
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	45 ns
Типичное время задержки при включении	11 ns, 12 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOIC-Narrow-8

Метки: