SIA907EDJT-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA907EDJT-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 4.5 A
Pd - рассеивание мощности	7.8 W
Qg - заряд затвора	15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	57 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	10 ns
Другие названия товара №	SIA907EDJT-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	11 S
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	2 P-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-70-6

Метки: