SIB417AEDK-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIB417AEDK-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 1.2V P-Channel

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	9 A
Pd - рассеивание мощности	13 W
Qg - заряд затвора	18.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	32 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	8 V
Vgs - напряжение затвор-исток	5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	27 ns
Время спада	29 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Quad Drain Dual Source
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	18 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Серия	SiB417AEDK
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	32 ns
Типичное время задержки при включении	19 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPak-6

Метки: