IPP023NE7N3 G

IPP023NE7N3 G

IPP023NE7N3 G
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPP023NE7N3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 18 недель
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IPP023NE7N3 G Лист данных скачать
МОП-транзистор N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
МОП-транзистор
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Подкатегория MOSFETs
Тип продукта MOSFET
Ширина 4.4 mm
Id - непрерывный ток утечки 120 A
Pd - рассеивание мощности 300 W
Qg - заряд затвора 206 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 75 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.3 V
Вес изделия 6 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 26 ns
Время спада 22 ns
Другие названия товара № IPP023NE7N3GXKSA1 SP000641722 IPP23NE7N3GXK IPP023NE7N3GXKSA1
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 98 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 500
Серия OptiMOS 3
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 70 ns
Типичное время задержки при включении 19 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541210000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
Страница создана за 0.199 секунд.