SIE802DF-T1-E3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIE802DF-T1-E3
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 3000

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	42.7 A
Pd - рассеивание мощности	5.2 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	195 ns, 20 ns
Время спада	20 ns, 10 ns
Другие названия товара №	SIE802DF-E3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	45 ns, 65 ns
Типичное время задержки при включении	45 ns, 25 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PolarPAK-10

Метки: