+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
TK39N60W5,S1VF Лист данных (PDF) | скачать |
МОП-транзистор | |
Высота | 20.95 mm |
Длина | 15.94 mm |
Подкатегория | MOSFETs |
Тип продукта | MOSFET |
Ширина | 5.02 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 38.8 A |
Pd - рассеивание мощности | 270 W |
Qg - заряд затвора | 135 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 62 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вес изделия | 38 g |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 120 ns |
Время спада | 9 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | Toshiba |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | TK39N60W5 |
Технология | Si |
Типичное время задержки выключения | 200 ns |
Типичное время задержки при включении | 180 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
CAHTS | 8541290000 |
CNHTS | 8541290000 |
ECCN | EAR99 |
JPHTS | 8541290100 |
KRHTS | 8541299000 |
MXHTS | 85412999 |
TARIC | 8541290000 |
USHTS | 8541290095 |