TK39N60W5,S1VF

TK39N60W5,S1VF

TK39N60W5,S1VF
Производитель: Toshiba
Номер части: TK39N60W5,S1VF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
TK39N60W5,S1VF Лист данных (PDF) скачать
МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
МОП-транзистор
Высота 20.95 mm
Длина 15.94 mm
Подкатегория MOSFETs
Тип продукта MOSFET
Ширина 5.02 mm
Id - непрерывный ток утечки 38.8 A
Pd - рассеивание мощности 270 W
Qg - заряд затвора 135 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 62 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вес изделия 38 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 120 ns
Время спада 9 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение DTMOSIV
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Toshiba
Размер фабричной упаковки 30
Серия TK39N60W5
Технология Si
Типичное время задержки выключения 200 ns
Типичное время задержки при включении 180 ns
Торговая марка Toshiba
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.149 секунд.