+7(8482)93-11-33
+79277730386
МОП-транзистор | |
Id - непрерывный ток утечки | 520 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 kW |
Qg - заряд затвора | 545 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 36 ns |
Время спада | 35 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Коммерческое обозначение | TrenchT2, GigaMOS, HiperFET |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | IXYS |
Размер фабричной упаковки | 32 |
Серия | IXFK520N075 |
Типичное время задержки выключения | 80 ns |
Типичное время задержки при включении | 48 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-264-3 |