IRFP4668PBF

IRFP4668PBF

IRFP4668PBF
Производитель: International Rectifier
Номер части: IRFP4668PBF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 15 недель
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IRFP4668PBF Лист данных (PDF) скачать
МОП-транзистор MOSFT 200V 130A 2.6mOhm 161nC Qg
МОП-транзистор
Высота 20.7 mm
Длина 15.87 mm
Подкатегория MOSFETs
Тип продукта MOSFET
Ширина 5.31 mm
Id - непрерывный ток утечки 130 A
Pd - рассеивание мощности 520 W
Qg - заряд затвора 161 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 9.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Вес изделия 38 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 105 ns
Время спада 74 ns
Другие названия товара № IRFP4668PBF SP001572854
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 150 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 400
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 64 ns
Типичное время задержки при включении 41 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
Страница создана за 0.403 секунд.