SIA456DJ-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA456DJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	1.1 A
Pd - рассеивание мощности	3.5 W
Qg - заряд затвора	9.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.38 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	25 ns, 20 ns
Время спада	20 ns, 12 ns
Другие названия товара №	SIA456DJ-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Quad Drain
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIA4xxDJ
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns, 16 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns, 5 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-SC-70-6

Метки: