+7(8482)93-11-33
+79277730386
IPD35N10S3L26ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPD35N10S3L26ATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IPD35N10S3L26ATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| IPD35N10S3L26ATMA1 Лист данных | скачать |
МОП-транзистор N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
| МОП-транзистор | |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Pd - рассеивание мощности | 71 W |
| Qg - заряд затвора | 39 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Вес изделия | 4 g |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4 ns |
| Время спада | 3 ns |
| Другие названия товара № | IPD35N10S3L-26 IPD35N1S3L26XT SP000386184 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | XPD35N10 |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| CNHTS | 8541290000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC | 8541290000 |
Страница создана за 0.222 секунд.