SiHP8N50D-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SiHP8N50D-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 500V 8A 850mOhm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	8.7 A
Pd - рассеивание мощности	156 W
Qg - заряд затвора	15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	850 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	16 ns
Время спада	11 ns
Другие названия товара №	SIHP8N50D-E3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	3 S
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Серия	E
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки:

Страница создана за 0.631 секунд.