IPT020N10N3ATMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPT020N10N3ATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор MV POWER MOS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	300 A
Pd - рассеивание мощности	300 W
Qg - заряд затвора	252 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	440 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	17 ns
Время спада	37 ns
Другие названия товара №	IPT020N10N3 SP001100160
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	320 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	2000
Технология	-
Типичное время задержки выключения	149 ns
Типичное время задержки при включении	30 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	HSOF

Метки: