IXTQ22N50P

IXTQ22N50P

IXTQ22N50P
Производитель: IXYS
Номер части: IXTQ22N50P
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 30 недель
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IXTQ22N50P Лист данных открыть
МОП-транзистор 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds
МОП-транзистор
Высота 20.3 mm
Длина 15.8 mm
Подкатегория MOSFETs
Тип продукта MOSFET
Ширина 4.9 mm
Id - непрерывный ток утечки 22 A
Pd - рассеивание мощности 350 W
Qg - заряд затвора 50 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 270 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вес изделия 5.500 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 25 ns
Время спада 21 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 12 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 3
Серия IXTQ22N50
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 72 ns
Типичное время задержки при включении 22 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-3P
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.744 секунд.