IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPB027N10N3GATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 120 A
Pd - рассеивание мощности 300 W
Qg - заряд затвора 155 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток +/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.7 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 58 ns
Время спада 28 ns
Другие названия товара № G IPB027N10N3 IPB027N10N3GXT SP000506508
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 188 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Серия XPB027N10
Технология -
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 84 ns
Типичное время задержки при включении 34 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок TO-263-3
Метки:
Страница создана за 0.191 секунд.