NVMFS4C05NWFT1G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NVMFS4C05NWFT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	116 A
Pd - рассеивание мощности	3.61 W
Qg - заряд затвора	30 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	26 ns
Время спада	5 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Серия	NVMFS4C05N
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	26 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8FL

Метки: