+7(8482)93-11-33
+79277730386
GA10SICP12-263
Производитель: GeneSiC Semiconductor
Номер части: GA10SICP12-263
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: GA10SICP12-263
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор 1200V 25A Std SIC CoPak
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Pd - рассеивание мощности | 170 W |
| Qg - заряд затвора | 55 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Технология | SiC |
| Торговая марка | GeneSiC Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TO-263-7 |
Страница создана за 0.291 секунд.