+7(8482)93-11-33
+79277730386
SIE810DF-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIE810DF-T1-GE3
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SIE810DF-T1-GE3
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор 20V 236A 125W 1.4mohm @ 10V
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 45 A |
| Pd - рассеивание мощности | 5.2 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SIE810DF-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PolarPAK-10 |
Страница создана за 0.392 секунд.