+7(8482)93-11-33
+79277730386
NTJD1155LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTJD1155LT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NTJD1155LT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 8 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | NTJD1155L |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SC-88-6 |
Страница создана за 0.328 секунд.