IXFH4N100Q

IXFH4N100Q

IXFH4N100Q
Производитель: IXYS
Номер части: IXFH4N100Q
Нормоупаковка: 30 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 30
МОП-транзистор 4 Amps 1000V 2.8 Rds
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 4 A
Pd - рассеивание мощности 150 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 1000 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вес изделия 6.500 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 15 ns
Время спада 18 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HyperFET
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXFH4N100
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 32 ns
Типичное время задержки при включении 17 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.694 секунд.