IXFP10N60P

Производитель: IXYS
Номер части: IXFP10N60P
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор HiPERFET Id10 BVdass600

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	200 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	740 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Вес изделия	2.300 g
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	27 ns
Время спада	21 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HyperFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	11 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IXFP10N60
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	65 ns
Типичное время задержки при включении	23 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: