SIA426DJ-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA426DJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	4.5 A
Pd - рассеивание мощности	3.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	23.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	11 ns
Время спада	11 ns
Другие названия товара №	SIA426DJ-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Quad Drain Dual Source
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIA4xxDJ
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	27 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-SC-70-6

Метки: