NDD03N80ZT4G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NDD03N80ZT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор NFET DPAK 800V 2.9A 3.3OH

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	2.9 A
Pd - рассеивание мощности	96 W
Qg - заряд затвора	17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.7 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	7 ns
Время спада	9 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	2.1 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	17 ns
Типичное время задержки при включении	9 ns
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK-3

Метки: