RW1E015RPT2R

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: RW1E015RPT2R
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 4V Drive Pch МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 1.5 A
Pd - рассеивание мощности	700 mW
Qg - заряд затвора	6.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	270 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	8 ns
Время спада	13 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	1 P-Channel, ESD
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	1.2 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	ROHM Semiconductor
Серия	RW1E015RP
Технология	-
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	40 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-563-6

Метки: