IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2
Производитель: IXYS
Номер части: IXTP1R6N50D2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
IXTP1R6N50D2 Лист данных открыть
МОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 1.6A
МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Продукт MOSFET
Тип продукта MOSFET
Id - непрерывный ток утечки 1.6 A
Pd - рассеивание мощности 100 W
Qg - заряд затвора 23.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток - 20 V, + 20 V
Вес изделия 2.300 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 70 ns
Время спада 41 ns
Канальный режим Depletion
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 1.75 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель IXYS
Размер фабричной упаковки 50
Серия IXTP1R6N50
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 35 ns
Типичное время задержки при включении 25 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.205 секунд.