SUD35N10-26P-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SUD35N10-26P-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SUD35N10-26P-GE3 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	12 A
Pd - рассеивание мощности	8.3 W
Qg - заряд затвора	31 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	26 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	10 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	2000
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	15 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK-3

Метки: