IXFX120N30P3

Производитель: IXYS
Номер части: IXFX120N30P3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	120 A
Pd - рассеивание мощности	1.13 kW
Qg - заряд затвора	150 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	27 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	300 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	13 ns
Время спада	11 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HyperFET
Конфигурация	Single Dual Drain
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	54 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXFX120N30
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	60 ns
Типичное время задержки при включении	26 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	PLUS-247-3

Метки: