SI2302DDS-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI2302DDS-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	2.9 A
Pd - рассеивание мощности	710 mW
Qg - заряд затвора	3.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	57 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	0.85 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	7 ns
Время спада	7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	13 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Серия	SI2302DDS
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: