+7(8482)93-11-33
+79277730386
SIHB33N60ET1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIHB33N60ET1-GE3
Нормоупаковка: 800 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребления
Номер части: SIHB33N60ET1-GE3
Нормоупаковка: 800 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребленияЦена: по запросу
МОП-транзистор N-Channel 600V
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 33 A |
| Pd - рассеивание мощности | 278 W |
| Qg - заряд затвора | 103 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 98 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | E Series |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Серия | E |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Страница создана за 0.315 секунд.