TK9J90E,S1E

Производитель: Toshiba
Номер части: TK9J90E,S1E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	9 A
Pd - рассеивание мощности	250 W
Qg - заряд затвора	46 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	900 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	40 ns
Время спада	35 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Toshiba
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	140 ns
Типичное время задержки при включении	80 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-3P-3

Метки: