SIA453EDJ-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA453EDJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -30V .0185ohm@-10V -24A P-Ch T-FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 24 A
Pd - рассеивание мощности	19 W
Qg - заряд затвора	44 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	29 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1.4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	45 ns
Время спада	28 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	22 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 50 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	65 ns
Типичное время задержки при включении	25 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-SC-70-6

Метки: