+7(8482)93-11-33
+79277730386
NTDV3055L104-1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTDV3055L104-1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NTDV3055L104-1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор NFET DPAK 60V 12A
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Pd - рассеивание мощности | 48 W |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 104 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 70 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 210 ns |
| Время спада | 80 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Серия | NTD3055L104 |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
Страница создана за 0.23 секунд.