SIB417EDK-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIB417EDK-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 9 A
Pd - рассеивание мощности	2.4 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	150 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 8 V
Vgs - напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	31 ns
Время спада	17 ns
Другие названия товара №	SIB417EDK-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	11 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-75-6

Метки: