IPB031NE7N3 G

IPB031NE7N3 G

IPB031NE7N3 G
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPB031NE7N3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 100 A
Pd - рассеивание мощности 214 W
Qg - заряд затвора 88 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 75 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3GXT SP000641730
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 150 S, 75 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 1000
Серия OptiMOS 3
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок D2PAK-3
Метки:
Страница создана за 0.944 секунд.