+7(8482)93-11-33
+79277730386
PSMN4R3-100ES,127
Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: PSMN4R3-100ES,127
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: PSMN4R3-100ES,127
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор N-Ch 100V 4.3 m std level МОП-транзистор
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Pd - рассеивание мощности | 338 W |
| Qg - заряд затвора | 170 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 91 ns |
| Время спада | 63 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | I2PAK-3 |
Страница создана за 0.149 секунд.