SI4922BDY-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI4922BDY-T1-GE3
Нормоупаковка: 2500 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 2500

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	8 A
Pd - рассеивание мощности	2 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	16 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	27 ns, 53 ns
Время спада	8 ns, 54 ns
Другие названия товара №	SI4922BDY-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 50 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	2500
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	31 ns, 68 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns, 13 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOIC-Narrow-8

Метки: