SIE830DF-T1-GE3

SIE830DF-T1-GE3

SIE830DF-T1-GE3
Производитель: Vishay / Siliconix
Номер части: SIE830DF-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
МОП-транзистор 30V 120A 104W 4.2mohm @ 10V
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 27 A
Pd - рассеивание мощности 5.2 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 12 V
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № SIE830DF-GE3
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Vishay
Размер фабричной упаковки 3000
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Reel
Упаковка / блок PolarPAK-10
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.197 секунд.