SIA433EDJ-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIA433EDJ-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 12 A
Pd - рассеивание мощности	19 W
Qg - заряд затвора	50 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	18 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	1.7 us
Время спада	3.2 us
Другие названия товара №	SIA433EDJ-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	35 S
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	6 us
Типичное время задержки при включении	0.71 us
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-SC-70-6

Метки: