IPB180N03S4L-H0
Описание |
действие |
IPB180N03S4L-H0 Лист данных |
скачать |
МОП-транзистор N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
МОП-транзистор |
Высота |
4.4 mm |
Длина |
10 mm |
Квалификация |
AEC-Q101 |
Ширина |
9.25 mm |
Id - непрерывный ток утечки |
180 A |
Pd - рассеивание мощности |
188 W |
Qg - заряд затвора |
176 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток |
1.1 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток |
30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток |
20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток |
2 V |
Вес изделия |
1.600 g |
Вид монтажа |
SMD/SMT |
Время нарастания |
24 ns |
Время спада |
41 ns |
Другие названия товара № |
IPB180N03S4LH0ATMA1 IPB18N3S4LHXT SP000555050 |
Канальный режим |
Enhancement |
Категория продукта |
МОП-транзистор |
Количество каналов |
1 Channel |
Коммерческое обозначение |
OptiMOS |
Конфигурация |
Single |
Максимальная рабочая температура |
+ 175 C |
Минимальная рабочая температура |
- 55 C |
Полярность транзистора |
N-Channel |
Производитель |
Infineon |
Размер фабричной упаковки |
1000 |
Серия |
OptiMOS-T2 |
Технология |
Si |
Тип транзистора |
1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения |
38 ns |
Типичное время задержки при включении |
35 ns |
Торговая марка |
Infineon Technologies |
Упаковка |
Reel |
Упаковка / блок |
TO-263-7 |
CNHTS |
8541290000 |
MXHTS |
85412999 |
TARIC |
8541290000 |