+7(8482)93-11-33
+79277730386
SCT2H12NZGC11
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: SCT2H12NZGC11
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SCT2H12NZGC11
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| SCT2H12NZGC11 Лист данных | скачать |
МОП-транзистор 1700V 3.7A N-МОП-транзистор Silicon Carbide SiC
| МОП-транзистор | |
| Продукт | Power MOSFETs |
| Тип | N-Channel SiC Power MOSFET |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.15 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1700 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 6 V, 22 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Вес изделия | 11.405 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 21 ns |
| Время спада | 74 ns |
| Другие названия товара № | SCT2H12NZ |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.4 s |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Технология | SiC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3PFM-3 |
| CNHTS | 8541290000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC | 8541290000 |
Страница создана за 0.779 секунд.