TK56E12N1,S1X

Производитель: Toshiba
Номер части: TK56E12N1,S1X
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
TK56E12N1,S1X Лист данных	скачать

МОП-транзистор N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	112 A
Pd - рассеивание мощности	168 W
Qg - заряд затвора	69 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	120 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V to 4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	20 ns
Время спада	23 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Toshiba
Размер фабричной упаковки	50
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	73 ns
Типичное время задержки при включении	45 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: