Si5419DU-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: Si5419DU-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 12A 31W 20mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	9.9 A
Pd - рассеивание мощности	3.1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	20 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	33 ns, 10 ns
Время спада	16 ns, 12 ns
Другие названия товара №	SI5419DU-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns, 40 ns
Типичное время задержки при включении	47 ns, 10 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-8

Метки: