SI7309DN-T1-E3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI7309DN-T1-E3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 60V 8.0A 19.8W 115mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	3.9 A
Pd - рассеивание мощности	3.2 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	115 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	80 ns, 15 ns
Время спада	35 ns, 33 ns
Другие названия товара №	SI7309DN-E3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	33 ns, 30 ns
Типичное время задержки при включении	25 ns, 10 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8

Метки: