SIB457EDK-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIB457EDK-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -20V 35mOhm@4.5V 9A P-Ch G-III

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 6.8 A
Pd - рассеивание мощности	2.4 W
Qg - заряд затвора	13 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	35 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	0.9 us
Время спада	1.9 us
Другие названия товара №	SIB457EDK-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	16 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	3 us
Типичное время задержки при включении	0.34 us
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-75-6

Метки: