+7(8482)93-11-33
+79277730386
NVD5807NT4G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NVD5807NT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NVD5807NT4G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор POWER МОП-транзистор
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Qg - заряд затвора | 12.6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 20.4 ns |
| Время спада | 2 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8.1 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | NTD5807N |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
Страница создана за 0.373 секунд.