SISS27DN-T1-GE3

Производитель: Vishay / Siliconix
Номер части: SISS27DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SISS27DN-T1-GE3 Лист данных	скачать

МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 50 A
Pd - рассеивание мощности	57 W
Qg - заряд затвора	45 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1 V to - 2.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	45 ns
Время спада	20 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET Power MOSFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	52 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SISxxxDN
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	50 ns
Типичное время задержки при включении	60 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8

Метки: