SI5913DC-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI5913DC-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 4.0A 3.1W 84mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	3.7 A
Pd - рассеивание мощности	1.3 W
Qg - заряд затвора	8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	84 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	40 ns
Время спада	10 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Серия	Si7703EDN
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	18 ns
Типичное время задержки при включении	18 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	ChipFET-8

Метки: